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晶圓製造

步驟四：使用RIE乾蝕刻(活性離子蝕刻機)及終點偵測器(防止吃超過)進行蝕刻。 步驟五：利用氧電漿(O2 Plasma)將光阻去除，閘極與其電路即完成。

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