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蝕刻技術

半導製程原理與概論Lecture 8. 蝕刻技術. (Etching) ... 是0.40μm/min, 氧化膜對矽的蝕刻選擇比為25比1, 如果. 三分鐘後停止蝕刻, ... 介電薄膜活性離子蝕刻系統.

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