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第三代半導體全球專利分析--知識產權--人民網

在氮化鎵器件制備設備技術上，波士頓大學設計一種通過外部磁鐵和/或出口孔徑控制原子氮物質和離子氮物質的量 ... 英飛凌和上游下游廠商合作都很密切。

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