靠近汲極通道夾止後再增加的VDS,大部分都落在被夾止部分的空乏. 區,電子電位能到此區也會有一個很大的下降,導電電子到此區會被加速掃到汲極。 (圖7) 當NMOS 之VGS(>Vth) ...
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