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第四代半導體|半導體|產業新聞
新一代超寬能隙材料氧化鎵(Ga2O3)被視為是第四代半導體,而Ga2O3因其基板製作,相較於第三代半導體SiC(碳化矽)與GaN(氮化鎵)更容易,又因超寬能隙的特性, ...
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