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帶你瞭解第三代半導體——氮化鎵

缺點 ：生長完畢後需要進行退火處理，最後得到的薄膜可能會存在裂紋，會影響產品的質量。 2、分子束外延法（MBE）. MBE法制備GaN與MOCVD法類似，主要的區別 ...

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