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氮化镓：第三代半导体后起之秀，下游渗透潜力巨大

➢ 助熔剂法生长条件相对温和，对生长装备要求低，可以生长出大尺寸的氮化镓单晶；. 其缺点 ... 同时以氧化. 镓为代表的第四代半导体技术若取得突破也将威胁 ...

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