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氧化镓、第三代半导体、碳化硅、氮化镓

GaO氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，已知 ... 导模法已在蓝宝石、单晶硅、闪烁晶体的制备中广泛使用，但导模法的缺点在于其对 ...

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