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第四代半導體氧化鎵
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張志誠觀點:力積電已在第四代半導體雄心壯志聯電 - nStock
第三代半導體何以蔚為風潮,因為第三代半導體碳化矽SiC、氮化鎵GaN 擁有第一代半導體所沒有的特性,碳化矽、氮化鎵可以耐高溫和高壓,散熱性佳,高頻傳輸效率高,電源轉換 ...
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