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8英寸！第四代半導體再突破，氧化鎵或是最佳材料！

1第三代半導體以碳化矽SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅(ZnO)等具有寬禁帶(Eg>2.3eV)特點的材料為主，具備耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，碳化矽(SiC)的材料特性可 ...

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