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第四代半導體氧化鎵的機遇與挑戰 - 每日頭條

4.第四代半導體材料主要是以金剛石（C）、氧化鎵（GaO）、氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶（UWBG）半導體材料，禁帶寬度超過4eV，以及以銻 ...

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