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第四代半導體日本
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来了!第四代半导体材料氧化镓(Ga2O3) - 碳化硅二极管
2012年日本报道了第一颗氧化镓功率器件,2015年推出了高质量氧化镓单晶衬底、2016年推出了同质外延片,此后,基于氧化镓材料的器件研究成果开始爆发式出现 ...
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