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氧化鎵：第四代半導體材料走進風口 - 壹讀

後摩爾時代，業界開始了對新架構、新工藝、新材料的全面探索，以碳化矽、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體脫穎而出，在高壓、高溫、高頻等應用場景中逐漸 ...

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