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10年後氧化鎵將直接與碳化矽競爭 - 電子工程專輯

以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬能隙(WBG)半導體材料，憑藉諸多 ... 的能隙寬度，達到了4.2電子伏特(eV)以上，也有人稱之為第四類半導體材料。

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