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第二代半導體
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寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為Infineon布局不落人後 - 新通訊
... 電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起,Infineon長期投入功率元件的開發,自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
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