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聯電攻8吋第三代半導體 - HiNet生活誌

第三代半導體和第一代與第二代產品的差異，在於半導體材料技術突破，聚焦碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）材料應用。 第三代半導體具有更好的物理和化學特性 ...

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