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第三代半導體未來之星，氮化鎵挾眾多優勢攻入快充、5G 市場

與第一代半導體材料矽、鍺，和第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）相比，列為第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵具有更好的物理和化學 ...

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