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中國晶片新篇(二):跨越式進擊,第三代半導體 - 人人焦點
第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN爲主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。一、二、三代 ...
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