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第三代半导体3篇政策与技术跟踪专题文章摘录

第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，发展于20 世纪90 年代，具有耐高温、耐高压、高电流、高频、低导通电阻等特点，广泛应用于高电压 ...

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