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GaN半導體裝置市場到2027年將達到58.5億美元、成長率19.8%

所謂第三代半導體係指材料以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）及硒化鋅等寬頻半導體為主，有別於第一代的矽（Si）、第二代的砷化鎵（GaAs）之半導體材料。

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