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第三代半導體發展之碳化矽（SiC）篇 - 今天頭條

在功率半導體發展歷史上，功率半導體可以分為三代：. 第一代半導體材料：鍺、矽等單晶半導體材料，矽擁有1.1eV的禁帶寬度以及氧化後非常穩定的特性。

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