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迎接5G 時代看寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN) - 台股產業研究室

GaN 與SiC 同屬於第三代半導體材料, GaN 功率器件是後進者. 自20 世紀初以來GaN 功率 ... GaAs 的缺點是器件功率較低, Si 的缺點是工作頻率存在極限.

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