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日本AIST成功試製GaN結合SiC功率半導體 - 科技產業資訊室

關鍵字：日本；AIST；成功試製；GaN結合SiC；功率半導體；單一晶片；耐壓；化合物半導體 ... 行動與5G將驅動第三代半導體材料於功率元件採用

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