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第三代半導體器件製備關鍵環節：外延- 壹讀

以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料，由於其寬帶隙、高電子飽和漂移速度、高熱導率、大擊穿場強等優勢，是製備高功率密度、高頻率、 ...

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