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第三代半導體缺點
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最新消息 - 前瞻綠色材料高值化研究中心
第三代半導體 -碳化矽功率半導體元件的崛起. 李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點,也克服了4吋機臺在製程上的限制,成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。
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