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第三代半導體缺點
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站在“新基建”浪潮上的第三代半導體產業(上) - Quatek
不難看出,氮化鎵 (GaN) 和碳化矽(SiC) 為首的第三代半導體是支持“新基建”的核心材料。 ... LDMOS器件的缺點是工作頻率存在極限,最高有效頻率在3.5 GHz以下.
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