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第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望 - EDN ...

基於以上因素，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)半導體材料在近十年備受矚目。 SiC有250種結晶型態，其中的4H-SiC已經確定是最適合製作高功率半導體 ...

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