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材料創新與測試技術並進第三代半導體開啟應用新革命

第三代半導體 則以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，其主要特色包括材料的變革、能源效率的提升、高頻率操作、高溫操作、高功率密度、高電流密度等。

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