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化合物半導體市場崛起楊博斐談碳化矽特性及應用 - 國立中正大學

在當代先進材料中，由於碳化矽與氮化鎵具備耐高壓、耐高溫、低導通電阻及高轉換效率等優越特性，逐漸取代矽基元件成為第三代半導體製程的重要材料，亦成為當代電動車及 ...

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