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剖析用於切換式電源的雷擊突波放電設計 - EDN Taiwan

其MOSFET為IPD80R900P7、大電容只有220nF，所以對於突波能量吸收的能力較為薄弱，當在做1kV差模突波測試時，MOSFET被擊穿損壞。但是，只要經由電源濾波器( ...

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