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InnoSwitch3-EP 系列

次側MOSFET 開啟而使繞組上電壓反轉的情況下，電壓波形發生振盪。 可選用連接到SR FET 的RC 突波吸收器來抑制此振盪。可使用10 Ω. 到47 Ω 範圍的突波吸收電阻器(太高的 ...

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