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穿隧效應半導體
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工研院IEEE 發表新世代記憶體論文,為FRAM、MRAM 帶領 ...
工研院指出,IEDM 為年度指標性的半導體產業技術高峰會議,每年由來自全球最 ... 此外,在以「亞奈安培操作電流之氧化鉿鋯鐵電穿隧接面於記憶體內運算 ...
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