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空乏型mosfet公式
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High k/metal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ...
隨著MOSFET 尺寸不斷的微縮,氧化層厚度越作越薄,以藉以提昇電晶體的 ... 因為除了由gate厚度所算出來的電容外,實際上還有poly si的空乏區.
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