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接面深度與陽極寬度對開關IGBT元件相關性及不同通道長度 ...

絕緣閘雙極型電晶體IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，結合了雙極型電 ... 則矽鰭狀基體空乏效果就能壓抑源極和汲極間的漏電流，相較於傳統的MOSFET， ...

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