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奈米電子元件 - 材料世界網

Intel利用90奈米世代的. 積體電路技術，製作出通道長度約50. 奈米的應變矽金氧半場效電晶體. (Strained Si MOSFET)。其中閘極氧化. 層仍沿用二氧化矽，厚度只有1.2奈. 米， ...

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