磊晶 沉積. 加熱(2000°C). SiO. 2. +. C. Si. +. CO. 2. 砂. 碳. 冶金級矽. 二氧化碳 ... 磊晶沉積製程是在單晶基片上生長一層薄的單晶層. 磊晶:目的 ... P型磊晶矽 ...
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