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磊晶矽晶
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磊晶成長
單晶成長–磊晶( Epitaxy Layer Growth ) 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳,但其製程溫度最高、難度最高,因此在元件應用上有其限制,一般用在積體電路製程最前段。
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