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磊晶矽晶
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半絕緣碳化矽晶圓發展現況 - 材料世界網
目前4吋半絕緣SiC晶圓之電阻率已可達到>1E5 Ω·cm之商規要求,並由中科院自有的高頻/高功率元件驗證鏈進行晶圓磊晶及元件驗證...…以上為部分節錄資料,完整 ...
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