P型磊晶矽. ↑本圖轉用自歐亞書局出版半導體製程技術導論P106 圖4.19(b). 了解 磊晶(Epitaxy). 氣相磊晶(MOCVD). →高溫(約1000度C)CVD的矽磊晶層成長是.
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