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磊晶原理
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氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(下) - 材料世界網
在570°C之下的生長溫度,氧化鎵磊晶薄膜中,其縱深方向均勻的錫分佈以及 ... 其電晶體的操作原理,這是世界上第一個單晶氧化鎵電晶體的操作實際驗證。
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