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國產設備於化合物半導體領域的機會研析 - 材料世界網

MBE則是在超高真空(<10 -8 torr)的環境下,直接加熱元素至昇華形成分子束,透過分子束接觸基板形成磊晶薄膜。由於MOCVD是直接使用氣體進行反應,反應速度較 ...

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