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日本試製出碳化矽和氮化鎵合體的功率半導體 - 日經中文網

日本産業技術綜合研究所（簡稱産綜研）成功試製了把受到關注的新一代功率半導體材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）合為一體的半導體。

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