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碳化矽及低維度材料特性之光學分析技術研究

碳化矽 (Silicon carbide, SiC) 由於其寬能隙、高電阻率和高導電性而被研究用於下一代半導體，這些特性使其適合用於高功率，高頻率或極端溫度工作環境下。

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