SiC (碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 ... 因為高耐壓功率元件的電阻抵抗成分幾乎都是此漂移層的電阻,SiC則每單位面積的導通電阻非常低,可實現高耐 ...
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