SiC獨有的材料特性,可設計無少數載子的單極裝置,取代電荷調變 IGBT裝置。 ... 相容於以V GS=15V驅動導通的 IGBT,將有助於簡化從IGBT變更為SiC MOSFET解決方案的流程。
確定! 回上一頁