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碳化矽長晶 技術
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高品質、晶圓級立方相碳化矽單晶生長技術取得突破 - 華新要聞
中科院物理所陳小龍團隊採用頂部籽晶溶液生長技術(TSSG)成功生長了高質量、晶圓級3C-SiC單晶(直徑2~4英寸,厚度4.0~10.0毫米),為大規模生產3C-SiC ...
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