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碳化矽長晶 技術
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CTIMES- 碳化矽基板及磊晶成長領域環球晶布局掌握關鍵技術
磊晶(Epitaxy)是指在晶圓上長出新結晶以形成半導體層的技術。在磊晶和基板界面常有本身磊晶材料引發自發極化或者因磊晶和基板晶格不匹配而引發壓電極 ...
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