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中山大學研發創新技術6吋碳化矽單晶將技轉| 科技| 中央社CNA

周明奇指出，晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr。為了從實驗室邁向工業化 ...

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