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中山大學6吋碳化矽單晶突破將技轉關鍵技術設備MIT | Anue鉅亨

周明奇說，晶體研究中心已成功長出6 吋導電型N-type 4H 碳化矽SiC 單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達 370um／hr，國內尚無其他研究單位或 ...

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