该设备为国内首台第三代半导体SiC晶圆激光内部改质切割设备。 ... 研發SiC技術,自行設計長晶爐(6''SiC Furnace),經過2000℃-2500℃的長時間長晶(SiC Boule) 完成,晶錠 ...
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